可摘局部义齿支架打磨抛光的要点不正确的是 ( )

A．由粗到细

B．压力适当

C．注意降温

D．走向一致

E．先打磨再喷砂

[单选题]可摘局部义齿支架打磨抛光的要点不正确的是（）A . 由粗到细B . 压力适当C . 注意降温D . 走向一致E . 先打磨再喷砂

[单选题]可摘局部义齿支架打磨抛光的要点不正确的是（）。A . 由粗到细B . 压力适当C . 注意降温D . 走向一致E . 先打磨再喷砂

[单选题]可摘局部义齿支架打磨抛光的要点不正确的是()A .由粗到细B .压力适当C .注意降温D .走向一致E .先打磨再喷砂

[单选题]关于打磨力度大小叙述，正确的是A．粗磨>细磨>抛光B．抛光>粗磨>细磨C．抛光>细磨>粗磨D．粗磨>抛光>细磨E．细磨>粗磨>抛光

[单选题]打磨抛光塑料义齿时，错误的操作为 ( )A．磨头应选择由粗到细B．尽量保持基托外形C．打磨过程应避免产热过高，导致义齿变形D．随时变换义齿的位置和部位，使表面受力均匀E．先打磨组织面，再打磨抛光面

[单选题]与可摘局部义齿抛光无关的注意事项是（）。A . 抛光时双手应保护好卡环，避免被布轮挂变形B . 抛光时应保护好人工牙避免被抛变形C . 抛光时应浸湿布轮避免干抛损伤义齿D . 抛光时应用技工打磨机作为抛光设备E . 抛光时用力不能过猛，过大避免折断义齿

[单选题]与可摘局部义齿抛光无关的注意事项是A.抛光时双手应保护好卡环，避免被布轮挂变形B.抛光时应保护好人工牙避免被抛变形C.抛光时应浸湿布轮避免干抛损伤义齿

[单选题]对可摘局部义齿的描述，不正确的是（）A . 设计合理的基托伸展范围B . 上颌后牙游离端后缘伸展到翼上颌切迹C . 边缘伸入组织倒凹区D . 上颌后缘远中颊侧盖过上颌结节E . 下颌后缘覆盖磨牙后垫1/3～1/2

[单选题]对可摘局部义齿的描述，不正确的是（）A.设计合理的基托伸展范围B.上颌后牙游离端后缘伸展到翼上颌切迹C.边缘伸入组织倒凹区D.上颌后缘远中颊侧盖过上颌

[单选题]可摘局部义齿铸造支架的制作，正确的是（　　）。A.卡环臂和卡环肩应呈圆形B.由卡环体部到尖部粗细均匀，尖端进入倒凹区C.支托呈圆三角形，边缘嵴处最宽，