[单选题]悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。A . 3ｍｉｎB . 5ｍｉｎC . 7ｍｉｎD . 10ｍｉｎ
中国大学MOOC: 利用高频感应线圈对多晶硅逐段熔化，在多晶硅锭下方装置籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭界面开始，熔区推进，单晶拉制成功，该方法是中国大学MOOC:
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中________。A. 温度越高，掺杂越快B. 温度越低，掺杂越快C. 温度恒定，掺杂最快D.
[填空题] 工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
[问答题,论述题] 简述硼和磷的退火特性。
[单选题]悬浮区熔的优点不包括（）A . 不需要坩埚B . 避免了容器污染C . 更易获得高纯度硅D . 成本低
[问答题] 钠硼硅与钠钙硅系统的不混溶区各有什么特点？
[问答题] 简述射线照相检验法的原理
[问答题] 简述酒精法检验原料乳的原理
[问答题] 铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。