[填空题] 选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。
[单选题]在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体A . 栅氧化层B . 沟槽C . 势垒D . 场氧化层