在刺激引起反射发生过程中,中枢若产生兴奋过程则传出冲动增加;若发生抑制则中枢原有的传出冲动减弱或停止。中枢部分的兴奋传布是通过兴奋性突触后电位实现的;而抑制性突触后电位的产生,则可带来中枢抑制。兴奋性突触后电位的产生过程如下:神经轴突的兴奋冲动可使神经末梢突触前膜兴奋并释放兴奋性递质,后者经突触间隙扩散并作用于突触后膜与特殊受体相结合,由此提高后膜对Na+、K+、C
l-,尤其是Na+的通透性,因Na+进入较多而膜电位减少,出现局部的去极化,这种短暂的局部去极化可呈电紧张形式扩布,称兴奋性突触后电位(E
PSP)。它通过总和作用可使膜电位减少至阈电位,从而在轴突始段产生扩布性动作电位,沿神经纤维传导,表现为突触后神经元兴奋。 抑制性突触后电位产生过程如下:抑制性神经元兴奋,神经末梢释放抑制性递质,后者经过扩散与突触后膜受体结合,从而使后膜对K+、C
l-,尤其是C
l-的通透性提高,膜电位增大而出现超极化,即抑制性突触后电位(IPSP)。它可降低后膜的兴奋性,阻止突触后神经元发生扩布性兴奋,因而呈现抑制效应。

试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。

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