G．TR存在二次击穿现象。()

[主观题]P-MOSFET存在二次击穿现象。()

[单选题]GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏的主要原因。二次击穿将造成GTR的永久性损坏，不具有可逆性。发生二次击穿必须同时具备三个条件，即高电压、大电流和（）。A .电场B .持续时间C .磁场D .应力

[多选题] 关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A .大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B .功率MOSFET不会发生二次击穿C .二次击穿可能使器件永久性损坏D . D.二次击穿的过程很短暂

[填空题] 换热器击穿的表现为二次网压力突然升高、二次网的供水温度升高、二次网的（）明显减少。

[问答题] 二次燃烧的现象？

[名词解释] 二次生长现象

[判断题] 电力晶体管在使用时要防止二次击穿。A . 正确B . 错误

[名词解释] 电火花加工的二次放电现象

[问答题] PT二次回路中击穿保险器的作用是什么？

[填空题] 电流互感器二次侧回路接地属于（）用于因一次绝缘击穿，二次侧串入高压，危胁设备和人身安全。