[单选题,A1型题]

由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括()

A . 兴奋性突触后电位和局部电位

B . 抑制性突触后电位和局部电位

C . 兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位

D . 兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位

E . 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

参考答案与解析:

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由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位

[单选题]由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A.兴奋性突触后电位和局部电位B.抑制性突触后电位和局部电位C.兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D.兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E.兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

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  • 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。

    [单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。A.Na+、Cl-、K+,尤其是K+B.Ca2+K+、Cl-,尤其是Ca2+C.Na+、K+,尤其是Na+D.K+、Cl-,尤其是C1-E.K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-

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  • 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。

    [单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。A . Na+、Cl-、K+,尤其是K+B . Ca2+K+、Cl-,尤其是Ca2+C . Na+、K+,尤其是Na+D . K+、Cl-,尤其是C1-E . K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-

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  • 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对____的通透性增加所致(  )。

    [单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对____的通透性增加所致(  )。A.Na+、Cl-、K+,尤其是K+B.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+

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  • 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。

    [单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。A.B.C.D.E.

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  • 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。

    [单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。A.B.C.D.E.

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  • 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。

    [单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。A.B.C.D.E.

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  • 兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致?

    [单选题]兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致?A.B.C.D.

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  • 兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了——的通透性()。

    [单选题]兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了——的通透性()。A . Ca2+B . Cl-C . K+D . Na+和K+,尤其是Na+E . Cl一和K+,尤其是Cl一

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  • 兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了____的通透性(  )。

    [单选题]兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了____的通透性(  )。A.Ca2+B.Cl-C.K+D.Na+和K+,尤其是Na+E.Cl-和K+,尤

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