[单选题]

下列有关漏磁通的叙述正确的是()。

A . 内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大

B . 缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比

C . 表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱

D . 用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

参考答案与解析:

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下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()

[单选题]下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()A .内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大B .缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C .表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱D .用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

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  • 下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的

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    [单选题]下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A .它与试件上的磁通密度有关B .它与缺陷的高度有关C .磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D .以上都对

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