非晶硒平板探测器储存信息的元件是（）

[单选题]非晶硒平板探测器储存信息的元件是A.TFTB.a－SeC.CsID.A／D转换器E.储能电容

[单选题]非晶硒平板探测器储存信息的元件是（）。A . TFTB . a-SeC . CsID . A／D转换器E . 储能电容

[单选题]非晶硒平板探测器储存信息的元件是A.TFTB.a-SeC.CsID.A/D转换器E.储能电容

[单选题]非晶硒平板探测器储存信息的元件是A.TFTB.a-SeC.CsID.A/D转换器E.储能电容

[单选题]非晶硒平板探测器储存信息的元件是A.TFTB.a-SeC.CsID.A／D转换器E.储能电容

[单选题]非晶硒平板探测器储存信息的元件是A．TFTB．a-SeC．CsID．A/D转换器E．储能电容

[单选题]关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A．使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B．典型材料为非晶硒(a-Se)C．每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D．非晶硒层直接将X线转换成电信号E．与非晶硅探测器的工作原理相同

[单选题]关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）A . 使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B . 典型材料为非晶硒（a-SE.C . 每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元D . 非晶硒层直接将X线转换成电信号E . 与非晶硅探测器的工作原理相同

关于非晶硒探测器叙述正确的是A. 非晶硒薄膜是通过真空蒸镀的方式固定在TFT阵列上,与玻璃板的粘接度不高。B. 温度偏低或变化剧烈时,容易发生探测器脱膜现象。C

[单选题]非晶硅和非晶硒两种平板探测器成像原理的不同，主要区别在于（）A .信号读出B .信号放大C .A/D转换D .信号输出E .探测元阵列层