单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）

[单选题]采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。A .不等值B .等值C .线性值D .非线性值

[单选题]单晶硅光伏电池表面的绒面结构呈（）。A . 三角形B . 圆形C . 倒金字塔形D . 正方形

[填空题] 单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。

[单选题]单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）A . 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B . 表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C . 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D . 表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极

晶格常数为a的简立方晶格的(111)面间距为()A. 1/√2aB. 1⁄√3aC. 1/√4aD. 1/√5a

[单选题]单晶硅组件效率不低于（）。A . 0.15B . 0.1C . 0.14D . 0.06

单晶硅晶体通常采用（）进行生产。A. 提拉法B. 焰融法C. 坩埚下降法D. 区融法

常见的制备单晶硅的方法有A. 直拉法B. 悬浮区熔法C. 蒸发D. 溅射

[单选题]下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。A . 硅带法B . 区熔法C . 直拉单晶法D . 磁拉法

单晶硅与多晶硅的根本区别是A. 纯度B. 原子排列方式C. 导电能力D. 原子结构