对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）

[单选题]铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）A . 头尾料和锅底料中含有的氧B . 晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧C . 石墨加热器与坩埚反应引入的氧D . 外界空气的进入

[多选题]杂质半导体中多数载流子浓度取决于( )，少数载流子浓度取于( )。A.反向电压的大小B.掺入杂质的浓度C.制作时间D.环境温度

[单选题]杂质半导体中少数载流子浓度（）A . 与掺杂浓度和温度无关B . 只与掺杂浓度有关C . 只与温度有关D . 与掺杂浓度和温度有关

[单选题]制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）A .氧及其相关缺陷B .参杂浓度C .以间隙铁为主的过渡族金属杂质D . D.材料中的缺陷密度及其分布

[问答题] 铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

[多选题] 铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）A . 钝化晶界B . 钝化错位C . 钝化电活性杂质

[单选题]阻尼子离（）越近，阻尼效果越（），离（）越近，阻尼效果越（）。A.耳钩、大、鼓膜、小B.鼓膜、大、耳钩、小C.耳郭、小、软骨、大D.软骨、大、耳郭、小

[单选题]阻尼子离（）越近，阻尼效果越（），离（）越近，阻尼效果越（）。A.耳钩、大、鼓膜、小B.鼓膜、大、耳钩、小C.耳郭、小、软骨、大D.软骨、大、耳郭、小

[多选题] 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A . 温度B . 掺杂工艺C . 杂质浓度D . 晶体缺陷E . 空穴F . 自由电子

[单选题]下列关于铸造多晶硅的方法叙述中，错误的是( )A.布里曼法的特点是坩埚和热源在凝固开始时做相对位移B.用热交换法时一般在坩埚底部置一热开关，熔化时热开