生产多晶硅带的方法主要有定边喂膜法、蹼状枝晶法、绳带法和模板生长法，其中产出率最高的方法为（）

[填空题] 目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法（改良西门子法）和（）两种方法。

[单选题]其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.A . SiCl4法B . 硅烷法C . 直拉法D . 西门子改良法

[单选题]多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法A .1234B .123C .2457D .4567

[单选题]关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）A . 在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。B . 非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。C . 多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。D . 与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

[单选题]多晶硅的生产方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法A .1234B .123C .1456D . D.4567

[问答题] 铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

[单选题]半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A . ①②④B . ①②③④C . ②③④D . ③④

[单选题]以下哪个不是影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素？( )A.晶粒尺寸B.固液界面C.热应力D.设备价格

[单选题]以下哪个不是影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素？( )A.晶粒尺寸B.固液界面C.热应力D.设备价格

[填空题] 将得到的多晶硅进行溶解，做成单晶硅，其方法有（）和浮游带熔融两种。