考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

[名词解释] 俄歇复合

半导体材料电学性能研究实验中,少子寿命是半导体器件处于非平衡工作状态下的一个重要的电学参数。()A. 正确B. 错误

P型半导体中的多子是___,少子是___。A. 空穴, ,空穴B. 电子, ,电子C. 空穴, ,电子D. 电子, ,空穴

[单选题]质半导体中，少子浓度主要取决于（）A . 掺入杂质的浓度B . 材料C . 温度

[填空题] 在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。

P 型半导体中多子为电子,少子为空穴。()A. 正确B. 错误

杂质半导体多子浓度主要受 [填空1] 影响，杂质半导体少子浓度主要受 [填空2] 影响。A. 温度B. 载流子浓度C. 杂质浓度

[名词解释] 辐射复合

[名词解释] 非辐射复合

[名词解释] 俄歇效应