在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。

[单选题]在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。A . 电子B . 空穴C . 质子D . 光子

[单选题]在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下P区的（）向N区运动。A . 电子B . 空穴C . 质子D . 光子

[填空题] 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。

[单选题]晶体硅太阳电池寿命可达到（）。A . 15年以上B . 20年以上C . 25年以上D . 35年以上

[填空题] 太阳电池主要有（）；（）、非晶硅太阳电池、碲化镉太 阳电池、与铜铟硒太阳电池5种类型

[单选题]晶体硅太阳电池的厚度一般为（）μm左右。A .100B .200C .300D . D.400

[填空题] 太阳电池的标准测试条件：（），（），（）。

[单选题]太阳电池的功率随光照强度升高而（）。A . 增大B . 减小C . 无关D . 先增大后减小

[单选题]在太阳电池外电路接上负载后，负载中便有电流过，该电流称为太阳电池的（）。A . 短路电流B . 开路电流C . 工作电流D . 最大电流

[单选题]下面不是制造非晶硅太阳电池常用的方法是（）。A .辉光放电法B .反应溅射法C .化学气相沉积法D . D.电镀法