由于有漏电电流流动，使所谓的反向饱和电流密度（），从而减少了开路电压。

[单选题]关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）A . p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B . 在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C . p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。D . 与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

[单选题]晶体管的反向饱和电流Icbo是指发射极e开路时( )之间的反向饱和电流。A．e极和b极B．e极和c极C．c极和b极D．b极和f极

[名词解释] 反向饱和电流

[问答题] 简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。

[单选题]测量二极管的反向饱和电流时，反向电压增加时，反向电流（）。A . 不变B . 增大C . 减小D . 不一定

[单选题]三极管的反向饱和电流Icbo，是指发射极e开路时，（）极之间的反向电流。A .e与bB .e与cC .c与bD .b与f

[单选题]二极管的反向饱和电流主要与( )有关。当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流A.反向电压的大小B.环境温度C.

[单选题]锗二极管的反向饱和电流（）μA。A . 小于1B . 大于1C . 几十到几百D . 几百到几千

[单选题]温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。A . 增大B . 减少C . 不变D . 不能确定

[单选题]具有整流特性好，能耐反向电压高，反向电流最小，允许的电流密度最大的整流器是（ ）。A．氧化铜整流器B．硒整流器C．锗整流器D．硅整流器