A . 每次刷新1个单元
B . 每次刷新256个单元
C . 每次刷新512个单元
D . 一次刷新全部单元
[单选题]用64K×8的RAM芯片和32K×16的ROM芯片设计一个256K×16的存储器,地址范围为00000H~3FFFFH,其中ROM的地址范围为10000H~1FFFFH,其余为RAM的地址。则地址线为(1)根,数据线为(2)根;ROM需要(3)片,RAM需要(4)片。C.PU执行一段程序时,Cache完成存取的次数为5000次,主存完成存取的次数为200次。已知Cache的存取周期为40ns,主存的存取周期为160ns。其两级存储器的平均访问时间为(5)ns。A.18B.9C.16D.8
[单选题]用16K×4位的RAM芯片构成64K×4位存储需要(1)RAM芯片,(2)根地址线。(38)A.2B.3C.4D.5
[单选题]在Intel 2164动态RAM存储器中,对存储器刷新的方法是( )。A.每次一个单元B.每次刷新512个单元C.每次刷新256个单元D.一次刷新全部单元
[单选题]用32K×4位的RAM芯片构成256K×32位存储器芯片M,至少需要(20)个RAM芯片。若用构成的芯片M来存储16MB的内容,则至少需要(21)个这样的芯片M。(55)A.4B.32C.64D.8
[单选题]用32K×4位的RAM芯片构成256K×32位存储器芯片M,至少需要(6)个RAM芯片。若用构成的芯片M来存储16MB的内容,则至少需要(7)个这样的芯片M。(51)A.4B.32C.64D.8
[单选题]某SRAM芯片,存储容量为64K×16位,该芯片的地址线和数据线数目为( )。A.64,16B.16 ,64C.64,8D.16 ,16
[单选题]某SRAM芯片,存储容量为64K×16位,该芯片的地址线和数据线数目为( )。A.64,16B.16 ,64C.64,8D.16 ,16
[单选题]某SRAM芯片,存储容量为64K×16位,该芯片的地址线和数据线数目为()。A.64,16B.16,64C.64,8D.16,16
[单选题]某SRAM芯片,存储容量为64K×16位,该芯片的地址线和数据线数目为( )。A.64,16B.16 ,64C.64,8D.16 ,16
[单选题]某SRAM芯片,存储容量为64K×16位,该芯片的地址线和数据线数目为( )。A.64,16B.16 ,64C.64,8D.16 ,16