PMOS管的开启电压UT为（）。

[问答题] 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

[填空题] NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。

[单选题]电气化铁道用避雷器的额定电压UT为（）。A .42≤UT≤84B .60≤UT≤207C .90≤UT≤468D .5≤UT≤108

[单选题]二极管当中，硅管的开启电压约为（）V，锗管约为（）V。A.0.10.2B.0.20.3C.0.50.1D.0.50.4

[单选题]TTL与非门阀值电压UT的典型值是（）。A . 0.4VB . 1.4VC . 2VD . 2.4V

[单选题]TTL与非门阈值电压UT的典型值是（）A . 0.4VB . 1.4VC . 2VD . 2.4V

[单选题]变动管电压法计算管电压的公式为（）。A . V＝2d+cB . V=d+cC . V=3d+cD . V=2d-cE . 以上都不是

[配伍题,B型题] 普通摄影应用管电压为（）软组织摄影应用管电压为（）高kV摄影应用管电压为（）A . 25～40kVB . 40～100kVC . 100～110kVD . 120～150kVE . 200kV以上

[单选题]在线监测装置应能承受电压暂降和短时中断为（）UT，持续时间（）个周波的电压暂降和短时中断干扰。A . 60%；5B . 50%；10C . 50%；20D . 60％；10

[单选题]硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）A .05VB .07VC .04VD .02V