A.对
B.错
[判断题]半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。()A.对B.错
半导体单晶材料中的电子能级由于价电子的共有化分裂成能带,价带是0K条件下被电子填充的能量最高的能带,导带是0K条件下未被电子填充的能量最低的能带,导带底与价带顶
[单选题]与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()A .比半导体的大B .比半导体的小C .与半导体的相等
P型半导体带正电,N型半导体带负电。( )A. 对B. 错
直接带隙半导体的发光效率通常高于间接带隙半导体。A. 对B. 错
下列材料中属于宽禁带半导体的有:A. GeB. SiCC. SiD. GaN
在低温下 , 本征半导体的能带与绝缘体的能带结构相同A. 正确B. 错误
[判断题]若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()对错A.对B.错