A.低于体瓷烧结温度6℃～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右，并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
[单选题]自身釉烧结的温度是A．低于体瓷烧结温度6～8℃B．高于体瓷烧结温度10℃C．高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D．形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E．防止磨料成分污染金属表面
[单选题]自身釉烧结的温度是（ ）。A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧
[单选题]用釉粉上釉的烧结温度是A．低于体瓷烧结温度6～8℃B．高于体瓷烧结温度10℃C．高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D．形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E．防止磨料成分污染金属表面
[单选题]用釉粉上釉的烧结温度是（ ）。A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷
[B单选题]用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时
[单选题]用釉粉上釉的烧结温度是（ ）。A.低于体瓷烧结温度6℃～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右，并保持一定时间D.形成较光的表面，防
[单选题]用釉粉上釉的烧结温度是（ ）。A.低于体瓷温度5℃B.低于体瓷温度l0℃C.高于体瓷温度10℃D.高于体瓷温度20℃E.高于体瓷温度30℃
[单选题]若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（ ）。A.高20～30℃B.高10～20℃C.高10℃以内D.低10℃以内E.低10～20℃
[单选题]若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A.高20～30℃B.高10～20℃C.高10℃以内D.低10℃以内E.低10～20℃