液浸探伤时，采用()方法可消除探头近场的影响

[单选题]液浸探伤时，采用()方法可消除探头近场的影响A.提高频率B.合适的水层距离C.大直径探头探测D.聚焦探头探测

[单选题]在液浸探伤时可消除探头近场影响的方法是（）A .提高频率B .用大直径探头C .改变水层距离D .用聚焦探头探测

[单选题]管子水浸探伤时常采用聚焦探头，其优点为()A.能改善指向性B.使声束入射角保持不变C.能提高信噪比D.以上都是

[单选题]管子水浸探伤时常采用聚焦探头，其优点为()A.能改善指向性B.使声束入射角保持不变C.能提高信噪比D.以上都是

[单选题]水浸探伤中，当探头垂直探测面时，则：（）A .界面回波幅度最大B .水层多次回波消失C .波长适当D .始脉冲幅度最大

[问答题] 水浸法探伤中为消除水中及探头和工件表面的气泡应如何操作？

[判断题] 探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A . 正确B . 错误

[单选题]液浸探伤的优点是（）。A .加快检验速度B .方便控制和保持波束方向C .适用于自动探伤D .上述都是

[单选题]直探头探伤，反射体距离小于三倍近场区长度时，校准探测灵敏度应采用（）。A . 磁强计B . 标准试块C . 对比试块D . 以上都对

[单选题]探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A .增加B .减小C .不变