为减少自掺杂现象,可以采取的措施有:()。

A. 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖

B. 用两步外延法

C. 低压外延法

D. 降低外延生长温度

参考答案与解析：

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自掺杂效应

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