3.(x000001366000000)如图所示,在坐标(a,0)处放置一点电荷 +9 ,在坐标(--|||-a,0)处放置另一点电荷 -9 .P点是x轴上的一点,坐标为(x,0).当 gt a-|||-时,该点场强的大小为: () y↑-|||-(A) dfrac (q)(4pi {varepsilon )_(0)x} = (B) dfrac (qa)(pi {varepsilon )_(0)(x)^3} ; -9 +q P(x,0)-|||-(C) dfrac (qa)(2pi {varepsilon )_(0)(x)^3} = (D) dfrac (q)(4pi {varepsilon )_(0)(x)^2} 一 -a O +a x x

3.(xz0000001366000000)如图所示,在坐标(a,0)处放置一点电荷 +9 ,在坐标(--|||-a,0)处放置另一点电荷 -9 .P点是x轴上

O A-|||-x-|||-d如图所示，不带电的导体A左侧移来一正点电荷q,O点是导体内距离点电荷q为d的一点，当达到平衡时，取如图所示坐标系，导体上感应电荷在

如图，在两点电荷的连线上，场强为零的点的坐标x=（ ），电势为零的点的坐标x=（ ）。(以电量为2q的点电荷所在位置为坐标原点）L-

P点是y轴上的-|||-一点,坐标为(0,y ).当 gt a 时,该点场强的大小-|||-为:-|||-y A-|||-P(0,y)-|||-q +q-|||

[单选题]若一点电荷对放在相距6cm处的另一点电荷的静电作用力为F，当两个点电荷之间的距离缩小到3cm时，静电作用力的大小为（）。A . F/4B . F/2C . 2FD . 4F

点电荷Q被曲面S所包围，从无穷远处引入另一点电荷q至曲面外一点，如图所示，则引入前后（　　）点电荷Q被曲面S所包围，从无穷远处引入另一点电荷q至曲面外一点，如图

(C)3aS; (D)aS.[ ]如图所示,闭合曲面S内有一点电荷q,P为S面上任意一点,S面外有另一点电荷Q,设通过S面的电通量为,P点的场强为,则当Q从A

5[1055]一点电荷,放在球形高斯面的中心处,将另一点电荷放在高斯面外通过高斯面的电场强度通量发生变化.A. 对B. 错

[题目]如图所示,在点电荷 +92 .和 -95 产生的电场-|||-中,将一点电荷 +90 沿箭头所示路径由a点移至b-|||-点,则外力作功-|||-b-|

[单选题]若一点电荷对放在相距2cm处的另一点电荷的静电作用为F，当两点电荷之间的距离增加到6cm时静力作用为（　　）。题79图A.B.C.D.