试求产生n个肖特基缺陷后晶体体积的变化以及对晶体比热的贡献。

5、MgO 晶体的肖特基缺陷生成能为 84kJ／mol，计算该晶体在 1000K 和 1500K 的缺陷浓度。5、MgO 晶体的肖特基缺陷生成能为 84kJ／m

[填空题] 晶体产生Frankel缺陷时，晶体体积（），晶体密度（）；而有Schtty缺陷时，晶体体积（），晶体密度（）。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时，（）是主要的；两种离子半径相差大时，（）是主要的。

[问答题] （a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。（b）如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。

[名词解释] 弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷

2、(a)Mgo晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,计算在25°C和1600·时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有×106mol1的Al2O3杂质,则在

[填空题] 晶体产生Frankel缺陷时，晶体体积（），晶体密度（）；而有Schtty缺陷时，晶体体积（），晶体密度（）。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大

(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6 ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1

当晶体中剩余空隙比较小时,如NaCl型结构,容易形成肖特基缺陷;当剩余空隙比较大时,如CaF_(2)型结构,易形成弗仑克尔缺陷。()当晶体中剩余空隙比较小时,如

三、计算题在CaF2晶体中,肖特基缺陷的生成能为5.5ev,计算在1600℃时热缺陷的浓度。如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3 杂质,则在1600℃时C

在晶体的热缺陷中,哪种缺陷更容易产生()A. 肖特基缺陷B. 弗兰克尔缺陷C. 替位式缺陷D. 间歇式缺陷