载流子浓度是半导体材料的重要参量，工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度来控制p型或n型半导体的载流子浓度。利用霍尔效应可以测量载流子的浓度和类型。如图所示为一块半导体材料样品，均匀磁场垂直于样品表面，样品中通过的电流为I，现测得霍尔电压为H∩。H∩（1）若H∩0" data-width="168" data-height="23" data-size="1736" data-format="png" style="">，试判断该半导体的类型；（2）证明样品中的载流子浓度为H∩。

载流子浓度是半导体材料的重要参量，工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度来控制p型或n型半导体的载流子浓度。利用霍尔效应可以测量载流子的浓度和类型。如图所示为一块半导体材料样品，均匀磁场垂直于样品表面，样品中通过的电流为I，现测得霍尔电压为。

（1）若0" data-width="168" data-height="23" data-size="1736" data-format="png" style="">，试判断该半导体的类型；

（2）证明样品中的载流子浓度为。

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