迁移率与杂质浓度和温度的关系为：? 若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

迁移率与杂质浓度和温度的关系为：? 若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

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