如图8.16(a)所示，在半导体pn结附近总是堆积着正、负电荷，n区内是正电荷，p区内是负电荷，两区内的电量相等。把pn结看作一对带正、负电荷的“无限大”平板，它们相互接触，x轴的原点取在pn结的交接面上，方向垂直于板面。n区的范围是 -(x)_(n)leqslant xleqslant 0 ;p区的范围是 n区: (rho )_(e)=(N)_(D)e-|||-p区: (rho )_(e)=(N)_(A)gleqslant xleqslant (x)_(p)，设两区内电荷分布都是均匀的。n区的范围是 -(x)_(n)leqslant xleqslant 0 ;p区的范围是 n区: (rho )_(e)=(N)_(D)e-|||-p区: (rho )_(e)=(N)_(A)gleqslant xleqslant (x)_(p)n区的范围是 -(x)_(n)leqslant xleqslant 0 ;p区的范围是 n区: (rho )_(e)=(N)_(D)e-|||-p区: (rho )_(e)=(N)_(A)gleqslant xleqslant (x)_(p)这种分布称为实变形模型，其中ND，NA都是常数，且有n区的范围是 -(x)_(n)leqslant xleqslant 0 ;p区的范围是 n区: (rho )_(e)=(N)_(D)e-|||-p区: (rho )_(e)=(N)_(A)gleqslant xleqslant (x)_(p)(两区内的电荷数量相等)。试证电场强度的大小为：n区的范围是 -(x)_(n)leqslant xleqslant 0 ;p区的范围是 n区: (rho )_(e)=(N)_(D)e-|||-p区: (rho )_(e)=(N)_(A)gleqslant xleqslant (x)_(p)并画出ρe(x)和E(x)随x的变化曲线。

如图8.16(a)所示，在半导体pn结附近总是堆积着正、负电荷，n区内是正电荷，p区内是负电荷，两区内的电量相等。把pn结看作一对带正、负电荷的“无限大”平板，它们相互接触，x轴的原点取在pn结的交接面上，方向垂直于板面。，设两区内电荷分布都是均匀的。


这种分布称为实变形模型，其中ND，NA都是常数，且有(两区内的电荷数量相等)。试证电场强度的大小为：

并画出ρe(x)和E(x)随x的变化曲线。