() 法是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,缓慢旋转提拉,使结晶生-|||-长,凉后得到长棒形状的单晶硅铸模。-|||-A.LSI B.IC C.CZ D.FZ

[单选题]（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。A .直拉法B .铸锭法C .西门子法D . D.三氯氢硅还原法

单晶硅与多晶硅的根本区别是A. 纯度B. 原子排列方式C. 导电能力D. 原子结构

[单选题]单晶硅与多晶硅的根本区别是( )A.纯度B.原子排列方式C.导电能力D.原子结构

[填空题] 将得到的多晶硅进行溶解，做成单晶硅，其方法有（）和浮游带熔融两种。

[填空题] 在结晶系中，多晶硅电池片的厚度为（）角，单晶硅电池片的厚度为（）角。

[单选题]半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A . ①②④B . ①②③④C . ②③④D . ③④

[问答题] 叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

[填空题] CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

将多晶硅加热至1420摄氏度使之熔化,加入籽晶,拉制后得到纯度更高的单晶硅。加热温度的选取是依据()A. 硅的熔点B. 硅的玻璃化转变点C. 硅的沸点D. 硅的

[填空题] 多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。