小注入条件是指注入的非平衡载流子浓度比平-|||-衡时的多数载流子浓度小得多。-|||-A 对-|||-B 错

[多选题]杂质半导体中多数载流子浓度取决于( )，少数载流子浓度取于( )。A.反向电压的大小B.掺入杂质的浓度C.制作时间D.环境温度

杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于(),少数载流子浓度主要取决于()A. 外电场B. 掺杂浓度C. 热激发D. 温度E. 本征激发

[多选题] 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A . 温度B . 掺杂工艺C . 杂质浓度D . 晶体缺陷E . 空穴F . 自由电子

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要决定于_;而少数载流子的浓度与_密切相关。()A. 掺入的杂质半导体;温度B. 掺入的杂质半导体;掺入的杂质半导体C. 温度

在杂质半导体中,多数载流子的浓度最主要取决于掺杂浓度,少数载流子的浓度主要取决于温度。()A. 对B. 错

[填空题] 使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。

[填空题] P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。

[问答题] 了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。

【填空题】P 型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子; N 型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴【填空题】P 型半导体的多数载流子是空穴,少数载流

[名词解释] 平衡载流子浓度