5.产生抑制性突触后电位的主要机制是 ()-|||-A.突触前末梢递质释放减少-|||-B.突触后膜 Ca2+ 通透性降低-|||-C.突触后膜 Na+ 通透性降低-|||-D.中间神经元受抑制-|||-E.突触后膜发生超极化[正确答案]

[单选题]突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）A . K+、Cl-，尤其是K+B . Na+、Cl-，尤优其是Na+C . K+、Cl-，尤其是Cl-D . Ca2+、CI-，尤其是Ca2+E . Na+、Cl-，尤其是Cl-

[单选题]突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。A . K+、Cl-，尤其是K+B . Na+、Cl-，尤其是Na+C . K+、Cl-，尤其是Cl+D . Ca2+、Cl-，尤其是Ca2+E . Na+、Cl-，尤其是Cl-

[单选题]突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A．Ca2+B．ClC．Na+D．K+E．Mg2+

[单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。A．Na+、Cl-、K+，尤其是K+B．Ca2+K+、Cl-，尤其是Ca2+C．Na+、K+，尤其是Na+D．K+、Cl-，尤其是C1-E．K+、Cl-、Na+，尤其是Cl-

[单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。A . Na+、Cl-、K+，尤其是K+B . Ca2+K+、Cl-，尤其是Ca2+C . Na+、K+，尤其是Na+D . K+、Cl-，尤其是C1-E . K+、Cl-、Na+，尤其是Cl-

[单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对____的通透性增加所致（　　）。A.Na+、Cl-、K+，尤其是K+B.Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+

[单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（）的通透性增加所致。A.B.C.D.E.

[单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（）的通透性增加所致。A.B.C.D.E.

[单选题]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（）的通透性增加所致。A.B.C.D.E.

突触后抑制,是突触前神经元释放抑制性递质,使突触后膜上产生抑制性突触后电位，出现了超极化抑制。A. 正确B. 错误