硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。

目前制备硅单晶的方法有:A. 直拉法B. 液体掩盖直拉法C. 悬浮区熔法D. 精馏法

[问答题] 冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么？

[单选题]半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。A . 70%B . 80%C . 90%D . 60%

[单选题]半导体工业所用的硅单晶( )是用CZ法生长的。A.70%B.80%C.90%D.60%

制备单晶的常用方法是？A. 垂直提拉法B. 离心急冷法C. 轧制急冷法D. 气相沉积法

[填空题] （）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。

[问答题] 影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些？

[填空题] 目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。

[判断题] 单晶体是只有一个晶粒组成的晶体A . 正确B . 错误

制备完整单晶薄膜的沉积条件是______和______，其生长模式为______。外延生长（在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜）条件：______和______