制备完整单晶薄膜的沉积条件是______和______，其生长模式为______。外延生长（在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜）条件：______和______。

在制备完好的单晶衬底上,沿其原来晶向,生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。A. 外延B. 热氧化C. PVDD.

[填空题] 单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A . 正确B . 错误

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A . 正确B . 错误

[单选题]制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.A . 汽-固B . 液-固C . 固-固D . 汽-液

外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?

低温、高速的沉积往往有助于形成粗大甚至单晶结构的薄膜。A. 正确B. 错误

[单选题]半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。A . 70%B . 80%C . 90%D . 60%

[单选题]半导体工业所用的硅单晶( )是用CZ法生长的。A.70%B.80%C.90%D.60%

[问答题,论述题] 影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？