外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A . 正确B . 错误

[判断题] 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A . 正确B . 错误

制备完整单晶薄膜的沉积条件是______和______，其生长模式为______。外延生长（在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜）条件：______和______

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A . 正确B . 错误

[填空题] 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

在外延工艺中,如果膜和衬底材料相同,例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为同质外延;反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为异质外延。()A.

在Si衬底材料之上生长C____(10)As外延层,这样的外延称为同质外延。A. 正确B. 错误

[填空题] 油气藏的破坏和再生就是在各种地质、物理、化学因素作用下，（）或（）的物理化学稳定性遭到部分或全部破坏，致使油气在新的条件下发生再运移和再聚集的过程。

[单选题]用物理或化学方法防止和抑制微生物生长繁殖的操作A．化学灭菌B．物理灭菌法C．消毒D．防腐E．除菌

[单选题]用物理或化学方法抑制微生物的生长与繁殖的手段称为（　　）。A.灭菌B.无菌C.消毒D.除苗E.抑菌