在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

在外延工艺中,如果膜和衬底材料相同,例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为同质外延;反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为异质外延。()A.

[判断题] 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A . 正确B . 错误

在Si衬底材料之上生长C____(10)As外延层,这样的外延称为同质外延。A. 正确B. 错误

[多选题] 硅外延生长工艺包括（）。A . 衬底制备B . 原位HCl腐蚀C . 生长温度，生长压力，生长速度D . 尾气的处理

外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?

硅气相外延工艺中,同样工艺温度下,以下哪种硅源生长速率最高?A. 硅烷B. 四氯化硅C. 二氯硅烷D. 三氯硅烷

8.判断题压花用的衬底材料非常广泛，有纸质衬底材料、木质衬底材料、纤维织物、玻璃和陶瓷等等。A. 对B. 错

膜是膜分离的核心,膜的性能取决于膜材料和制膜工艺。A. 正确B. 错误

制备完整单晶薄膜的沉积条件是______和______，其生长模式为______。外延生长（在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜）条件：______和______

[判断题] 世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。A . 正确B . 错误