硅外延生长工艺包括（）。

硅气相外延工艺中,同样工艺温度下,以下哪种硅源生长速率最高?A. 硅烷B. 四氯化硅C. 二氯硅烷D. 三氯硅烷

[填空题] 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

[多选题] 硅外延片的应用包括（）。A . 二极管和三极管B . 电力电子器件C . 大规模集成电路D . 超大规模集成电路

在外延工艺中,如果膜和衬底材料相同,例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为同质外延;反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为异质外延。()A.

[判断题] 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A . 正确B . 错误

[单选题]半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A . ①②④B . ①②③④C . ②③④D . ③④

[名词解释] 浮生（外延生长）

外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?

[填空题] 延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

在Si衬底材料之上生长C____(10)As外延层,这样的外延称为同质外延。A. 正确B. 错误