硅外延生长工艺包括（）。

[填空题] 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

[多选题] 硅外延片的应用包括（）。A . 二极管和三极管B . 电力电子器件C . 大规模集成电路D . 超大规模集成电路

[判断题] 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A . 正确B . 错误

[单选题]半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A . ①②④B . ①②③④C . ②③④D . ③④

[名词解释] 浮生（外延生长）

[填空题] 延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

[填空题] 外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

[单选题]通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。A .温度场B .磁场C .重力场D .电场

[问答题,论述题] 下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。

[问答题] 外延工艺按方法可分为哪些？