高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。

在Si衬底材料之上生长C____(10)As外延层,这样的外延称为同质外延。A. 正确B. 错误

在外延工艺中,如果膜和衬底材料相同,例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为同质外延;反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为异质外延。()A.

[填空题] 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A . 正确B . 错误

外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A . 正确B . 错误

[多选题] 硅外延生长工艺包括（）。A . 衬底制备B . 原位HCl腐蚀C . 生长温度，生长压力，生长速度D . 尾气的处理

[问答题] 什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？

[问答题] 什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？

[填空题] 外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。