A . 正确
B . 错误
[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A . 正确B . 错误
在Si衬底材料之上生长C____(10)As外延层,这样的外延称为同质外延。A. 正确B. 错误
[判断题] 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A . 正确B . 错误
[问答题] 什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？
制备完整单晶薄膜的沉积条件是______和______，其生长模式为______。外延生长（在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜）条件：______和______
[问答题] 什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。
在制备完好的单晶衬底上,沿其原来晶向,生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。A. 外延B. 热氧化C. PVDD.
外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。?