在制备完好的单晶衬底上,沿其原来晶向,生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。

制备完整单晶薄膜的沉积条件是______和______，其生长模式为______。外延生长（在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜）条件：______和______

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A . 正确B . 错误

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A . 正确B . 错误

[单选题]制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.A . 汽-固B . 液-固C . 固-固D . 汽-液

制备单晶的常用方法是？A. 垂直提拉法B. 离心急冷法C. 轧制急冷法D. 气相沉积法

[单选题]坩埚的污染(引入P型杂质)会使N型单晶尾部的电阻率，使P型单晶尾部电阻率。( )A.增高减小B.减小增高C.减小减小D.增高增高

[单选题]坩埚的污染(引入P型杂质)会使N型单晶尾部的电阻率，使P型单晶尾部电阻率。( )A.增高减小B.减小增高C.减小减小D.增高增高

目前制备硅单晶的方法有:A. 直拉法B. 液体掩盖直拉法C. 悬浮区熔法D. 精馏法

硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。

常见的制备单晶硅的方法有A. 直拉法B. 悬浮区熔法C. 蒸发D. 溅射