A. 对
B. 错
判断题 薄膜制备的方式中,CVD不消耗衬底材料。判断题
在外延工艺中,如果膜和衬底材料相同,例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为同质外延;反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为异质外延。()A.
[填空题] 在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为();反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为()。
薄膜制备的方式中,CVD不消耗衬底材料。A. 正确B. 错误
蓝光LED芯片制备中最常采用的衬底材料是:A. 单晶硅B. 砷化镓C. 磷化镓D. 蓝宝石
碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。A. 正确B. 错误
[单选题]卫生填埋场若采用黏土作衬底材料,其渗透系数必须小于()。A . 10-8cm/sB . 10-7cm/sC . 10-6cm/sD . 10-5cm/s
IC 主要使用的多晶结构的半导体衬底材料。 A 对 B 错IC主要使用的多晶结构的半导体衬底材料。A对B错
[判断题] 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A . 正确B . 错误
[单选题]为了实现均匀倍增,雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求()。A . 浓度均匀B . 浓度大C . 浓度小D . 浓度适中