A . 正确
B . 错误
曝光后烘焙的作用有()A. 降低驻波效应B. 促进光刻胶的化学反应,提高光刻胶的粘附性C. 防止光刻胶沾到设备上(保持器械洁净)D. 缓和在旋转过程中光刻胶胶膜
[单选题]用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。A . ARCB . HMDSC . 正胶D . 负胶
曝光后,光刻胶由可溶变成不溶,该种光刻胶是正胶。A. 正确B. 错误
[判断题] 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A . 正确B . 错误
[单选题]在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A . DQNB . CAC . ARCD . PMMA
[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误
[单选题]下列关于曝光后烘烤的说法正确的是()。A . 烘烤的目的是除去光刻胶中的水分B . 烘烤可以减轻曝光中的驻波效应C . 烘烤的温度一般在300℃左右D . 烘烤的时间越长越好
[单选题]在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。A . 化学增强B . 化学减弱C . 厚度增加D . 厚度减少
环化橡胶类光刻胶是负胶。A. 正确B. 错误