传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。

[判断题] 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。A . 正确B . 错误

[单选题]开关量输出模块在可控硅输出方式中，（）作为开关器件，同时有是隔离器件A .继电器B .三极管C .模拟开关D .固态继电器

[问答题] 简述局部加热元器件的方法。

[问答题] 集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？

[单选题]烧结法生产氧化铝，采用（）脱硅工艺。A .一次B .二次C .三次D .不单设

[单选题]CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A . 光刻技术B . 转移电荷C . 光电效应D . 光电转化

[填空题] 硅的氧化是炼钢的重要反应之一，硅氧化为放热反应，因此，（）有利于硅的氧化。

[判断题] 硅的氧化是放热反应，高温有利于硅的氧化。（）A . 正确B . 错误

[单选题]装置工艺联锁局部解锁的方法是（）A . 直接按局部旁路键B . 按下所在系统选择命令键后，再按执行键C . 按下所在系统选择命令键后，再按总旁路键D . 按下所在系统选择命令键后，再按局部旁路键

[判断题] 旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。A . 正确B . 错误