晶体生长的基本理论是（），（）。

[填空题] 晶体生长过程中晶面发育的理论包括（）、（）、（）。

晶体生长方法有()A. 薄膜生长方法B. 气相生长法C. 熔体生长法D. 溶液生长法E. 固相生长法

[单选题]晶体生长最后应被生长速度（）的晶面包围。A . 快B . 慢C . 恒等D . A、B、C都不是

[判断题] 晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。A . 正确B . 错误

【单选题】熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差A. 沸点B. 三相点C. 熔点D. 平衡温度

[单选题]对循环浆液中石膏晶体生长影响最小的是( )。A.浆液滞留时间B.浆液pH值C.浆液密度D.入口烟温

[单选题]对循环浆液中石膏晶体生长影响最小的是( )。A.浆液滞留时间B.浆液pH值C.浆液密度D.入口烟温

[单选题]对循环浆液中石膏晶体生长影响最小的是( )。A.浆液滞留时间B.浆液pH值C.浆液密度D.入口烟温

[问答题] 常用半导体材料的晶体生长方向有几种？

晶体生长时，溶液—固相转变的热力学条件是( )A. 有一定的过饱和度B. 有一定的过冷度C. C1 > C0D. P1 > P0