晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。

[单选题]晶体生长最后应被生长速度（）的晶面包围。A . 快B . 慢C . 恒等D . A、B、C都不是

[填空题] 晶体生长过程中晶面发育的理论包括（）、（）、（）。

[填空题] 晶体生长的基本理论是（），（）。

[填空题] 晶面条纹可以认为是晶体生长过程中各个（）叠合后留下的痕迹。

[主观题]宫内生长发育的规律是：生长速度慢，发育、分化、成熟过程不易受损伤。此题为判断题(对，错)。

[判断题] 宫内生长发育的规律是：生长速度慢，发育、分化、成熟过程不易受损伤。A . 正确B . 错误

[判断题]宫内生长发育的规律是：生长速度慢，发育、分化、成熟过程不易受损伤。（）A.对B.错

[判断题] 杂交桑枝条生长速度慢，发条数少。侧芽生长能力强。桑树发芽后应注意疏芽、疏枝。A . 正确B . 错误

[问答题] 常用半导体材料的晶体生长方向有几种？

[单选题]对循环浆液中石膏晶体生长影响最小的是( )。A.浆液滞留时间B.浆液pH值C.浆液密度D.入口烟温