CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

[填空题] GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

[名词解释] 禁带宽度

[判断题]导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）A.对B.错

[判断题]导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）A.对B.错

[填空题] 太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。

[单选题]常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。A .1.12B .2.14C .1.42D . D.0.92

[单选题]材料的禁带宽度，最大的是（）A . 金属；B . 杂质半导体；C . 绝缘体；D . 本征半导体；

[填空题] 氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。

[填空题] 为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

[填空题] 太阳能电手表的太阳能电池是（）太阳能电池。且太阳能电池提供的电流是与（）成正比。