常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。

常温下，本征半导体中存在电子空穴对。常温下，本征半导体中存在电子空穴对。

在常温下,本征半导体中有可以导电的载流子吗?A. 没有B. 有C. 不确定D. 与材料有关

对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（）A. 变大B. 变 小C. 不变D. 以上都不对

半导体材料的禁带宽度是多少()A. 几eVB. 几kVC. 几MVD. 几GHz

[判断题]导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）A.对B.错

[判断题]导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）A.对B.错

[填空题] 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

不同的半导体材料,在同一温度T时,禁带宽度Eg越( ),本征载流子浓度ni就越( )。A. 大、小B. 大、大C. 小、小D. 都不是

填充题（1） 半导体和绝缘体能带结构的区别是其禁带宽度不同，绝缘体的禁 带宽度为5~7eV，而半导体的禁带宽度在2eV以下。（2） 形状记忆合金具有“形状记忆效

[单选题]半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体，其分子式为（）。A .SiH2B .SiHC .SiH3D . D.SiH4