不同的半导体材料,在同一温度T时,禁带宽度Eg越( ),本征载流子浓度ni就越( )。

3.不同的半导体材料,在同一温度T时,禁带宽度E8越大,本征载流子浓度n1就越 __

[填空题] 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

[单选题]常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。A .1.12B .2.14C .1.42D . D.0.92

半导体材料的禁带宽度是多少()A. 几eVB. 几kVC. 几MVD. 几GHz

[单选题]若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（）

[填空题] 半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

本征半导体载流子（）A. 自由电子和空穴的浓度无法确定B. 自由电子的浓度小于空穴的浓度C. 自由电子的浓度大于空穴的浓度D. 自由电子和空穴的浓度相等

对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（）A. 变大B. 变 小C. 不变D. 以上都不对

[单选题]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A . 越不容易受B . 越容易受C . 基本不受

[填空题] 纯净半导体称为本征半导体，本征半导体中载流子分别是（）和（）。