对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（）

半导体材料的禁带宽度是多少()A. 几eVB. 几kVC. 几MVD. 几GHz

[单选题]常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。A .1.12B .2.14C .1.42D . D.0.92

[填空题] 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

位错是半导体的一种缺陷,它对半导体材料和器件的性能会产生严重的影响。在棱-|||-位错的周围会导致原子间的压缩和伸张,晶格压缩区禁带宽度 __ ,伸张区禁带宽-

不同的半导体材料,在同一温度T时,禁带宽度Eg越( ),本征载流子浓度ni就越( )。A. 大、小B. 大、大C. 小、小D. 都不是

[填空题] 半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

[单选题]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A . 越不容易受B . 越容易受C . 基本不受

[单选题]若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（）

[填空题] 氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。

[判断题]导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）A.对B.错