A.对
B.错
[判断题]若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()对错A.对B.错
[判断题] 为了使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。A . 正确B . 错误
在半导体材料中,本征光吸收发生时,光子的能量必须大于或等于材料的带隙能量。A. 对B. 错
[单选题]与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()A .比半导体的大B .比半导体的小C .与半导体的相等
[判断题] 为了使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。A. 正确B. 错误
半导体单晶材料中的电子能级由于价电子的共有化分裂成能带,价带是0K条件下被电子填充的能量最高的能带,导带是0K条件下未被电子填充的能量最低的能带,导带底与价带顶
[单选题]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。A . 越不容易受B . 越容易受C . 基本不受
[填空题] 受主获取电子的能量状态,处于禁带中价带顶附近,称为()。
固体中价带和导带交叠,这样的材料是()。A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 晶体
设晶格常数为的一维晶格,导带极小值附近能量和价带极大值附近能量分别为:,为电子惯性质量,。试求:(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量;(3)价带顶电子有效质