设晶格常数为的一维晶格,导带极小值附近能量和价带极大值附近能量分别为:,为电子惯性质量,。试求:(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量;(3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:Ec=dfrac ({h)^2(k)^2}(3{m)_(0)}+df

设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 E_c(k) 和价带极大值附近能量 E_v(k) 分别为[ E_c(k) = (hbar^2 k^2)/(3

[填空题] 受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。

被束缚的电子要成为自由电子或者空穴,就必须获得足够的能量从价带跃迁到导带,这个能量的最小值称为()。A. 价带宽度B. 导带宽度C. 禁带宽度D. 能带宽度

被束缚的电子要成为自由电子或者空穴,就必须获得足够的能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值称为()。A. 能带宽度B. 导带宽度C. 价带宽度D. 禁带宽度

导带电子直接落入价带与空穴复合,同时价带电子也有一定的几率跃迁到导带中去,产生一对电子和空穴,称为直接复合。()A. 正确B. 错误

半导体单晶材料中的电子能级由于价电子的共有化分裂成能带，价带是0K条件下被电子填充的能量最高的能带,导带是0K条件下未被电子填充的能量最低的能带,导带底与价带顶

[判断题] 为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。A . 正确B . 错误

[单选题]禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A . 越不容易受B . 越容易受C . 基本不受

[判断题] 为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。A. 正确B. 错误