一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。

A. 正确

B. 错误

参考答案与解析:

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在Si衬底上975℃,30min预淀积磷,当衬底为0.3Ω·cm的p-Si,975℃时:①求结深和杂质总量;②若继续进行再分布,1100℃,50min,求这时的结深和表面杂质浓度。

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