在Si衬底上975℃,30min预淀积磷,当衬底为0.3Ω·cm的p-Si,975℃时:①求结深和杂质总量;②若继续进行再分布,1100℃,50min,求这时的结深和表面杂质浓度。

一扩散，采取两歩工艺:预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。A. 正确B. 错误

[问答题,论述题] 采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。计算含有施主杂质浓

扩散,可以分为三个步骤:预淀积、再扩散(杂质推进)、杂质激活。A. 正确B. 错误

[判断题] 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A . 正确B . 错误

热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅和二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A . 正确B . 错误

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A . 正确B . 错误

热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅与二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质

在Si衬底材料之上生长C____(10)As外延层,这样的外延称为同质外延。A. 正确B. 错误