热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅和二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质浓度比硅中高,硅表面附近浓度下降。( )

热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO2 界面的杂质将在界面两边的硅与二氧化硅中形成再分布。对于k<1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质

[单选题]二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。A . 降低B . 增加C . 不变D . 先降低后增加

二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）     ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩

[单选题]表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。A . 分凝度B . 固溶度C . 分凝系数D . 扩散系数

硅灰按照二氧化硅含量分为( )级。A. 85B. 88 |C. 90D. 92

[主观题]铸造用硅砂二氧化硅分级，如代号为98，表示二氧化硅最低含量为98%。此题为判断题(对，错)。

[名词解释] 二氧化硅（SiO2）

[填空题] 二氧化硅的含量高，硅砂的（）也较高。

[单选题]二氧化硅A．阴离子乳化剂B．非离子乳化剂C．天然乳化剂D．固体微粒乳化剂E．辅助乳化剂

[单选题]硅沉着病是由于长期吸入哪种粉尘所引起的A．游离二氧化硅粉尘B．结合二氧化硅粉尘C．金属粉尘D．水泥粉尘E．炭黑粉尘